电阻率随着衬底温度的升高逐渐降低。当衬底温度为400℃时,电阻率达到最低4.7×10-4Ω·cm.③与2wt.%Al掺杂的合金靶材制备的ZnO:Al薄膜比较得出：合金靶材制备的ZnO:Al薄膜所需衬底温度较低,当在210℃时,电阻率达到最低最低6.74×10-4Ω·cm.我们从合金靶材反应溅射和陶瓷靶材的溅射机理方面给予解释。 (5)系统研究了1wt.%Al掺杂的ZnO:Al薄膜电阻率受衬底温度的影响,并且将其作为阳极应用到OLED器件中。实验得出：①当衬底温度为230℃时,电阻率最小,阻值为6×10-4Ω·cm。②与相同电阻率的ITO阳极制备的OLED器件对比看出,两种器件都表现出典型的二极管特性。但是从电流密度、5A06铝管/5754铝管/6061铝管/6061-T6铝管/6083铝管/6063铝管/7075铝管发光亮度和电流效率三方面角度来看,AZO薄膜阳极器件均低于ITO薄膜阳极器件的性能。1060铝管/1100铝管/3003铝管/5052铝管/5083铝管/2017铝管/2A12铝管/LY12铝管电力用铝管，各种材质铝管，高合金铝管，机加工铝管，精密铝管， 1060铝管/1100铝管/3003铝管/5052铝管/5083铝管/2017铝管/2A12（LY12）铝管/5A06铝管/5754铝管/6061铝管/6061-T6铝管/6083铝管/6063铝管/7075铝管，铝管/5A06铝管/5754铝管/6061铝管/6061-T6铝管/6083铝管/6063铝管/7075铝管